м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time SO8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память FL 4MX8 3V PLCC32
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память FL 4MX8 3V PLCC32
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память FL 4MX8 3V PLCC32
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память FL 4MX8 3V PLCC32
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память FL 16MX8X16 3V TSOP-1 48 12x20
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память FL 16MX8X16 3V TSOP-1 48 12x20
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time SO8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time SO8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память EEPROM 1M X 8, УФ-стирание. DIP32
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time SO8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
      	
	  
	  	
    
      	  		 
	    
        
       
	  
      м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8