PDIP8 EEPROM I2CB 256K сняты > в корпусе SO8
м-сх: память 256Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable SO8
м-сх: память 512Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
SO8 EEPROM I2C 512K 2.5-5.5V
м-сх: память 2Kb (x8), I2C, Uпит=2.5...5.5 В, fш=400кГц, tзап=10мс. SO8
м-сх: память 2Kb (x8), I2C, Uпит=2.5...5.5 В, fш=400кГц, tзап=10мс. SO8
м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 8Kb (x8), I2C, Uпит=2.5...5.5 В, fш=400кГц, tзап=10мс. SO8
м-сх: память 8Kb (x8), I2C, Uпит=2.5...5.5 В, fш=400кГц, tзап=10мс. SO8
SO8 EEPROM 8kbit Vcc=2,5-5,5V
м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time SO8
м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time SO8
м-сх: память 32Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 32Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 32Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time SO8
м-сх: память 64Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 64Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 64Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time SO8
м-сх: память 64Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time SO8
м-сх: память Serial Paged Flash SO8
м-сх: память 2Mb Serial Paged Flash SO8
м-сх: память 4Mb Serial Paged Flash SO8