м-сх: память FL 8MX8X16 3V TSOP-1 48 12x20
м-сх: память FL 8MX8X16 3V TSOP-1 48 12x20
м-сх: память 8Mb (x8), 2.7-3.6V, 25MHz, шина SPI. FPN8 6X5
SO-28 Timekeeper SRAM 256K (32Kx8) 100ns 3-3,6В
м-сх: память PDIP 24 .7 ZZP 2K X 8 10% DIP24
SO28 5.0V ASYNCHRONOUS SRAM 256 KBIT (32KB X8) 70нс -40/+85 сняты
м-сх: память 256K X8 5.0V Asy, Low TSOP28
м-сх: память 256K x8 3.0V, Asy, L TSOP28
м-сх: память TSOP-1 28L 8X1 256K x8, 3.0V Asy, L TSOP28
м-сх: память 4M X8 3.0V Asy, Low SOP32
м-сх: память 4M X8 3.0V Asy, Low TSOP32
EEPROM mWB 1K TURNED DIP8
м-сх: память 4Kbit EEPROM(8-16 разрядн.) с последовательным интерфейсом SO8
м-сх: память 16Kb (x8,x16), 4.5-5.5V, 1MHz, 10ms DIP8
м-сх: память 128KBIT EEPROM с последовательным интерфейсом SPI, до 10 МГц. DIP8
м-сх: память FL 16MX8X16 3V TSOP-1 48 12x20
м-сх: память EEPROM 1M X 8, УФ-стирание. DIP32
м-сх: память EEPROM 1M X 8, УФ-стирание. DIP32
м-сх: память FL 16MX8X16 3V TSOP-1 48 12x20
SO-14 2-й таймер >0.5MHz 6мА 0/+70
м-сх: память 128Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable DIP8
м-сх: память 128Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable DIP8