память FRAM, 512байт, I2C до 1 МГц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7…3.65В, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
память FRAM, 8Кбайт, I2C до 1 МГц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7…3.65В, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
Память FRAM, 512байт, SPI (режим 0) до 1.8 МГц, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, DIP8
память FRAM, 512байт, SPI (режимы 0 и 3) до 20Мгц, 1 трлн.циклов, 45 лет, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, без свинца
память FRAM, 512байт, SPI (режимы 0 и 3) до 20Мгц, 1 трлн.циклов, 45 лет, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, без свинца
память FRAM, 32Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 25Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=4,0…5,5В, -40°…+85°С, SOIC8, RoHS
память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 5 МГц, 1 трлн.циклов, 45 лет, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 5 МГц, 1 трлн.циклов, Uпит=4.5…5.5В, Automotive grade -40°…+125°С, SOIC8, Pb-Free
память FRAM, 2Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, 1 трлн.циклов, Uпит=4.5…5.5В, Automotive grade -40°…+125°С, SOIC8, Pb-Free
память FRAM, 2Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, 1 трлн.циклов, 45 лет, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free, катушка 2500шт
память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7…3.65В, -40°…+85°С, DFN8, Pb-Free
память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7…3.65В, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°…+85°С, DFN8, Pb-Free
Память FRAM, 512байт, SPI (режимы 0 и 3) до 14 МГц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7…3.65В/0.02-2.0мА, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
Память FRAM, 2Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7…3.65В/0.02-5.0мА, -40°…+85°С, DFN8, Pb-Free
Память FRAM, 2Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 18 МГц, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.0…3.65В/0.02-5.0мА, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
память FRAM, 32Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2,7…3,6В, -40°…+85°С, DFN-8, RoHS
память FRAM, 32Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2,7…3,6В, -40°…+85°С, SOIC8, катушка 2500шт, RoHS
память FRAM, 64Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.0…3.6В, -40°…+85°С, TDFN8, Pb-Free
м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 128Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable DIP8
м-сх: память 256Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable DIP8