Фильтр
Микросхемы памяти
Производитель: STM
м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: STM
м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: STM
м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time SO8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: STM
м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 8Кбайт, паралл., 120 нс, 1 трлн.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, wSOIC28, PbFree
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, DIP28, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, wSOIC28, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.0…3.65В, -40°…+85°С, DIP28, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.0…3.65В, -40°…+85°С, wSOIC28, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.0…3.65В, -40°…+85°С, TSOP-32, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 128Кбайт, паралл., 40/60 нс, цикл 350 нс, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.13…3.63В, -40°…+85°С, TSOP32 без свинца
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 512байт, I2C до 1 МГц, 1 трлн.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: STM
м-сх: память 128Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable DIP8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: STM
м-сх: память 128Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable DIP8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: STM
м-сх: память 128Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable DIP8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: STM
м-сх: память 128Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable DIP8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, PB-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, PB-Free, катушка 2000 шт
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: STM
м-сх: память 256Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable DIP8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: STM
м-сх: память 256Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable DIP8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: STM
м-сх: память 256Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable DIP8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: STM
м-сх: память 256Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time, no Chip Enable DIP8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 64Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, PB-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 8Кбайт, I2C до 1 МГц, 1 трлн.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение