м-сх: память FL 16MX8X16 3V TSOP-1 48 12x20
м-сх: память FL 16MX8X16 3V TSOP-1 48 12x20
м-сх: стабилизатор Программируемый источник опорного напряжения 1%, -40 +105 SO8
м-сх: стабилизатор Программируемый источник опорного напряжения 1%, -40 +105 SO8
м-сх: стабилизатор Программируемый источник опорного напряжения 1%, -40 +105 SO8
м-сх: стабилизатор Программируемый источник опорного напряжения 1%, -40 +105 SO8
м-сх: стабилизатор Программируемый источник опорного напряжения 1%, -40 +105 SO8
м-сх: стабилизатор Программируемый источник опорного напряжения SOT23-5L
м-сх: стабилизатор Программируемый источник опорного напряжения SOT23-5L
м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time SO8
м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time SO8
м-сх: память EEPROM 1M X 8, УФ-стирание. DIP32
м-сх: 2х-канал. компаратор, 0 +70 грЦ. DIP8
м-сх: стабилизатор 5V, 1,5A, 2%, -40+125 грЦ. TO220
м-сх: стабилизатор 15V, 1,5A, 2%, -40+125 грЦ. TO220
симистор: 12A, 600V, 25mA,500V/mks TO220
симистор: 12A, 600V, 35mA, 500V/mks (snubberless) TO220
симистор: 12A, 600V, 25mA,500V/mks TO220
симистор: 12A, 600V, 35mA, 500V/mks (snubberless) TO220
симистор: 16A, 600V, 35mA, 500V/mks, 3Q(snubberless) TO220