Микросхемы операционные усилители

4 ОУ КМОП с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 МГц, 0,4 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,005 мкВ/°С, 51 нВ/VГц, Iвх = 0,01 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,85 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, TSSOP14.

2 ОУ КМОП, с отключением, вх./вых. размах до шин питания, 2,2 МГц, 3,5 В/мкс, Uсм = 25 мВ, 20 мкВ/°С, 30 нВ/VГц, Iвх = 0,005 нА, Iвых = 250 мА, Iп = 1 мА, Uп = 2,5...6 В, -40...+85°C, mSOIC10 в катушке 13".

2 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 8,2 МГц, 5,2 В/мкс, Uсм = 1,1 мВ, 2 мкВ/°С, 18 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,68 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца в катушке 13".

4 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 8,2 МГц, 5,2 В/мкс, Uсм = 0,08 мВ, 2 мкВ/°С, 18 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,68 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC14.

4 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 8,2 МГц, 5,2 В/мкс, Uсм = 0,08 мВ, 2 мкВ/°С, 18 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,68 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, TSSOP14.

4 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 8,2 МГц, 5,2 В/мкс, Uсм = 0,08 мВ, 2 мкВ/°С, 18 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,68 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC14 без свинца.

4 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 8,2 МГц, 5,2 В/мкс, Uсм = 1,1 мВ, 2 мкВ/°С, 18 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,68 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC14.

2 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 0,4 МГц, 0,1 В/мкс, Uсм = 0,012 мВ, 1 мкВ/°С, 22 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 80 мА, Iп = 0,04 мА, Uп = 1,8...6 В, -40...+125°C, mSOIC8 в катушке 2".

4 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 10 МГц, 5 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 1,5 мкВ/°С, 6,5 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 80 мА, Iп = 1 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC14.

4 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 0,4 МГц, 0,1 В/мкс, Uсм = 0,012 мВ, 1 мкВ/°С, 22 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 80 мА, Iп = 0,04 мА, Uп = 1,8...6 В, -40...+125°C, TSSOP14.

2 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 20 МГц, 12 В/мкс, Uсм = 0,08 мВ, 2 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 150 мА, Iп = 1,6 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, mSOIC8 в катушке 2".

4 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 20 МГц, 12 В/мкс, Uсм = 0,08 мВ, 2 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 150 мА, Iп = 1,6 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, TSSOP14.

2 ОУ полев. вход, 25 МГц, 50 В/мкс, Uсм = 0,085 мВ, 0,8 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 10...27,3 В, -40...+125°C, SOIC8.

2 ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 5 МГц, 5 В/мкс, Uсм = 0,05 мВ, 2,5 мкВ/°С, 17,5 нВ/VГц, Iвх = 0,00025 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,63 мА, Uп = 5...27 В, -40...+85°C, SOIC8.

DUAL LOW NOISE AUTO ZERO AMPLIFIER

DUAL LOW NOISE AUTO ZERO AMPLIFIER

DUAL LOW NOISE AUTO ZERO AMPLIFIER

2 ОУ бипл., вх./вых. размах до шин питания, 5 МГц, 3 В/мкс, Uсм = 0,8 мВ, 3,5 мкВ/°С, 23 нВ/VГц, Iвх = 250 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,3 мА, Uп = 1,8...6 В, -40...+125°C, SOIC8.

2 ОУ бипл., вх./вых. размах до шин питания, 5 МГц, 3 В/мкс, Uсм = 0,8 мВ, 3,5 мкВ/°С, 23 нВ/VГц, Iвх = 250 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,3 мА, Uп = 1,8...6 В, -40...+125°C, mSOIC8 без свинца в катушке 2".

2 ОУ бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, Iвх = 3 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 3 мА, Uп = 8...36 В, -40...+125°C, mSOIC8 в катушке 2".

4 ОУ бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, Iвх = 3 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 3 мА, Uп = 8...36 В, -40...+125°C, SOIC14 без свинца.

Single Low Noise CMOS Amplifier

low noise, ultralow distortion, high speed differential amplifier.

low noise, ultralow distortion, high speed differential amplifier.

ОУ бипл., ОС по току, с отключением, 90 МГц, 500 В/мкс, Uсм = 1,5 мВ, 7 мкВ/°С, 2,9 нВ/VГц, Iвх = 1500 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 6,8 мА, Uп = 9...36 В, -40...+85°C, PDIP8.