2 ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 145 МГц, 180 В/мкс, Uсм = 0,4 мВ, 1 мкВ/°С, 7 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 35 мА, Iп = 6,4 мА, Uп = 5...26,4 В, -40...+85°C, SOIC8.
2 ОУ бипл., ОС по току, 200 МГц, 500 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 11 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, Iвх = 4000 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 3,5 мА, Uп = 4...13,2 В, 0...+70°C, SOIC8.
ОУ бипл., вых. размах до шин питания, 110 МГц, 145 В/мкс, Uсм = 1,7 мВ, 10 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 1400 нА, Iвых = 45 мА, Iп = 4,4 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SOT23-5 в катушке 7".
2 ОУ бипл., вых. размах до шин питания, 110 МГц, 145 В/мкс, Uсм = 1,7 мВ, 10 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 1400 нА, Iвых = 45 мА, Iп = 4,4 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, mSOIC8.
ОУ бипл., ОС по току, с отключением, 80 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 1,5 мВ, 7 мкВ/°С, 2,9 нВ/VГц, Iвх = 700 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 6,7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, PDIP8.
ОУ бипл., ОС по току, с отключением, 80 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 1,5 мВ, 7 мкВ/°С, 2,9 нВ/VГц, Iвх = 700 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 6,7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
ОУ бипл., ОС по току, 140 МГц, 2500 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 5 мкВ/°С, 1,9 нВ/VГц, Iвх = 2000 нА, Iвых = 100 мА, Iп = 14,5 мА, Uп = 9...36 В, 0...+70°C, SOIC8.
2 ОУ бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 мкВ/°С, 3,5 нВ/VГц, Iвх = 7000 нА, Iвых = 40 мА, Iп = 3,5 мА, Uп = 2,4...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
ОУ с дифференц. вх/вых, 1300В/мкс, 500МГц, mSOIC8.B664
3 ОУ бипл., ОС по току, с отключением, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 мкВ/°С, 3,5 нВ/VГц, Iвх = 7000 нА, Iвых = 40 мА, Iп = 3,5 мА, Uп = 2,4...36 В, -40...+85°C, SOIC14.
3 ОУ бипл., ОС по току, с отключением, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 мкВ/°С, 3,5 нВ/VГц, Iвх = 7000 нА, Iвых = 40 мА, Iп = 3,5 мА, Uп = 2,4...36 В, -40...+85°C, SOIC14 в катушке 7".
2 ОУ бипл., ОС по току, 120 МГц, 900 В/мкс, Uсм = 5 мВ, 20 мкВ/°С, 1,85 нВ/VГц, Iвх = 10000 нА, Iвых = 500 мА, Iп = 23 мА, Uп = 10...36 В, -40...+85°C, SOIC24.
ОУ бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 3300 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
ОУ бипл., 130 МГц, 450 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 10 нВ/VГц, Iвх = 3300 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
ОУ бипл., 130 МГц, 450 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 10 нВ/VГц, Iвх = 3300 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8 в катушке 7".
ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм = 0,4 мВ, 2 мкВ/°С, 13 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 0,7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм = 0,3 мВ, 2 мкВ/°С, 13 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 0,7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
2 ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм = 0,3 мВ, 2 мкВ/°С, 13 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 0,7 мА, Uп = 3...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
2 ОУ полев.вход, вых. размах до шин питания, 16 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 2 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,003 нА, Iвых = 16 мА, Iп = 5,2 мА, Uп = 3...36 В, -40...+85°C, PDIP8.
2 ОУ полев.вход, вых. размах до шин питания, 16 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 2 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,003 нА, Iвых = 16 мА, Iп = 5,2 мА, Uп = 3...36 В, -40...+85°C, PDIP8 без свинца.
2 ОУ полев.вход, вых. размах до шин питания, 16 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 2 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,003 нА, Iвых = 16 мА, Iп = 5,2 мА, Uп = 3...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
2 ОУ полев.вход, вых. размах до шин питания, 16 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 2 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,003 нА, Iвых = 16 мА, Iп = 5,2 мА, Uп = 3...36 В, -40...+85°C, SOIC8 в катушке 7".
ОУ полев. вход, 46 МГц, 140 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 10 мкВ/°С, 12 нВ/VГц, Iвх = 0,015 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 6,5 мА, Uп = 10...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
2 ОУ бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 3300 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
2 ОУ бипл., 130 МГц, 450 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 10 нВ/VГц, Iвх = 3300 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 7 мА, Uп = 5...46 В, -40...+85°C, SOIC8.