2 ОУ бипл., вх./вых. размах до шин питания, 80 МГц, 30 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 450 нА, Iвых = 15 мА, Iп = 0,75 мА, Uп = 2,7...12,6 В, -40...+85°C, SOIC8.
ОУ бипл., 240 МГц, 1200 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 10 мкВ/°С, 6,7 нВ/VГц, Iвх = 4000 нА, Iвых = 70 мА, Iп = 20,5 мА, Uп = 6...12,6 В, -40...+85°C, PDIP8.
ОУ бипл., 240 МГц, 1200 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 10 мкВ/°С, 6,7 нВ/VГц, Iвх = 4000 нА, Iвых = 70 мА, Iп = 20,5 мА, Uп = 6...12,6 В, -40...+85°C, SOIC8.
ОУ бипл., 350 МГц, 425 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 4,5 мкВ/°С, 8 нВ/VГц, Iвх = 400 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 1 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SC70-5 в катушке 2".
ОУ бипл., 350 МГц, 425 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 4,5 мкВ/°С, 8 нВ/VГц, Iвх = 400 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 1 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SC70-5 в катушке 7".
ОУ бипл., с отключением, 350 МГц, 425 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 4,5 мкВ/°С, 8 нВ/VГц, Iвх = 400 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 1 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SOIC8.
2 ОУ бипл., 350 МГц, 425 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 4,5 мкВ/°С, 8 нВ/VГц, Iвх = 400 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 1 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SOT23-8 в катушке 2".
ОУ бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 160 МГц, 170 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 10 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 2000 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 11 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SOIC8.
2 ОУ бипл., вых. размах до шин питания, 160 МГц, 170 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 10 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 2000 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 11 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, PDIP8.
2 ОУ бипл., вых. размах до шин питания, 160 МГц, 170 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 10 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 2000 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 11 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SOIC8 без свинца.
4 ОУ бипл., вых. размах до шин питания, 160 МГц, 170 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 10 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 2000 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 11 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SOIC14.
ОУ бипл., вых. размах до шин питания, 110 МГц, 145 В/мкс, Uсм = 1,7 мВ, 10 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 1400 нА, Iвых = 45 мА, Iп = 4,4 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+125°C, SOIC8.
м-сх: ОУ операц. усилитель, R/R, 3-12V, 70MHz, ESD, Iвых=55 мА., нагрузка 150 Ом, standby SO8
м-сх: ОУ 2х-канал. операц. усилитель, R/R, 3-12V, 70MHz, ESD, Iвых=55 мА., нагрузка 150 Ом SO8
2 ОУ бипл., вых. размах до шин питания, 110 МГц, 145 В/мкс, Uсм = 1,7 мВ, 10 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 1400 нА, Iвых = 45 мА, Iп = 4,4 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+125°C, mSOIC8.
ОУ бипл., 300 МГц, 1400 В/мкс, Uсм = 3 мВ, 6 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 400 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 5,4 мА, Uп = 8...13,2 В, -40...+125°C, PDIP8.
ОУ бипл., 300 МГц, 1400 В/мкс, Uсм = 3 мВ, 6 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 400 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 5,4 мА, Uп = 8...13,2 В, -40...+125°C, SOIC8.
м-сх: ОУ операц. усилитель, R/R, 3-12V, 70MHz, ESD, Iвых=55 мА., нагрузка 150 Ом, standby SO8
2 ОУ бипл., 300 МГц, 1400 В/мкс, Uсм = 3 мВ, 6 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 400 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 5,4 мА, Uп = 8...13,2 В, -40...+125°C, PDIP8.
2 ОУ бипл., 300 МГц, 1400 В/мкс, Uсм = 3 мВ, 6 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 400 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 5,4 мА, Uп = 8...13,2 В, -40...+125°C, SOIC8.
м-сх: ОУ 2х-канал. операц. усилитель, R/R, 3-12V, 70MHz, ESD, Iвых=55 мА., нагрузка 150 Ом SO8
ОУ бипл., 325 МГц, 1150 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 3 мкВ/°С, 7 нВ/VГц, Iвх = 500 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 6 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SOT23-5 в катушке 2".
ОУ бипл., 325 МГц, 1150 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 3 мкВ/°С, 7 нВ/VГц, Iвх = 500 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 6 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SOT23-5 в катушке 7".
ОУ бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 320 МГц, 650 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 3,5 мкВ/°С, 8,5 нВ/VГц, Iвх = 3500 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 6,8 мА, Uп = 2,7...8 В, -40...+85°C, SOIC8.
ОУ бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 320 МГц, 650 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 3,5 мкВ/°С, 8,5 нВ/VГц, Iвх = 3500 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 6,8 мА, Uп = 2,7...8 В, -40...+85°C, SOT23-6 в катушке 2".