транз: N-MOSFET 700V, 7.5A,
транз: N-MOSFET 700V, 7.5A,
транз: N-MOSFET 900V, 9.0A,
транз: N-MOSFET 900V, 9.0A,
TSSOP20 Программ, вых SPI, точн 0,1%, изм полной энерг обнар вмеш
TSSOP20 Программируемая, изм. актив. энергии
диод: 2-об.к., 200V, 2*5 A, 12pF, 30ns D2PAK
диод: Шоттки 45V, 10A, Vf 0,57V DPAK
диод: Шоттки 45V, 10A, Vf 0,57V DPAK
диод: Шоттки 45V, 10A, Vf 0,57V DO220
диод: Шоттки, *2 с общ.к. 100V, 5A, Vf 0,64V TO220 ISOL
диод: Шоттки, *2 с общ.к. 100V, 5А, Vf 0,61V D2PAK
диод: Шоттки 25V, 10A, Vf 0,35V DO220
диод: Шоттки, *2 с общ.к. 40V, 5A, Vf 0,46V TO220
диод: Шоттки, *2 с общ.к. 40V, 5A, Vf 0,46V D2PAK
диод: Шоттки 40V, 1А, Vf 0,5V, 40pF SMA
диод: Шоттки, *2 с общ.к. 150V, 10A, Vf 0,69V TO220
диод: Шоттки, *2 с общ.к. 170V, 10A, Vf 0.75V TO220
диод: Шоттки, *2 с общ.к. 100V, 10A, Vf 0,64V TO220 ISOL
диод: Шоттки, *2 с общ.к. 25V, 10A, Vf 0,35V TO220
диод: Шоттки, *2 с общ.к. 45V, 10A, Vf 0,5V D2PAK