транз: N-MOSFET 60V, 50.0A,
транз: N-MOSFET 60V, 50.0A,
транз: N-MOSFET 60V, 50.0A,
транз: N-MOSFET 60V, 50.0A,
транз: N-MOSFET 60V, 60.0А,
транз: IGBT N-MOSFET 600V, 10.0A PowerMESH TO220
транз: N-MOSFET 30V, 4.0A,
транз: P-MOSFET -60V, 300mA,
транз: P-MOSFET -60V, 300mA,
транз: P-MOSFET -60V, 300mA,
м-сх: стабилизатор 1.8 В, Iмакс - 1 А, 2%, малое падение. DPAK
м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 8Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
м-сх: память 16Kb (x8), 2.5-5.5V, 400kHz, 10ms Write time DIP8
транз: N-MOSFET 500V, 60.0A,
транз: N-MOSFET_1000V 9.0A,
транз: N-MOSFET 800V, 9.0A,
транз: N-MOSFET 800V, 6,2A,
транз: N-MOSFET_1000V 9.0A,
транз: N-MOSFET_1000V 9.0A,
транз: N-MOSFET_1000V 9.0A,
транз: N-MOSFET 800V, 9.0A,
транз: N-MOSFET 800V, 19.0A,
транз: N-MOSFET 800V, 19.0A,