Ramtron
Производитель: Ramtron
FRAM-триггер, сдвоенный. FCLK=1МГц, 1 трлн. циклов изм. состояния. Iвых=10mA, Uпит=4.5…5.5В, SOT-23-8, -40…+85°C
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
FRAM-триггер, сдвоенный. FCLK=1МГц, неогр.кол-во циклов изм. состояния. Iвых=10mA, Uпит=2.7…3.6В, SOT-23-8, -40…+85°C
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
FRAM-триггер, сдвоенный. FCLK=1МГц, неогр.кол-во циклов изм. состояния. Iвых=10mA, Uпит=2.7…3.6В, микропотребляющий (ISTBY=1мкА), SOT-23-8, -40…+85°C
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 8Кбайт, паралл., 120 нс, 1 трлн.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, wSOIC28, PbFree
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, DIP28, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, wSOIC28, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.0…3.65В, -40°…+85°С, DIP28, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.0…3.65В, -40°…+85°С, wSOIC28, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.0…3.65В, -40°…+85°С, TSOP-32, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 128Кбайт, паралл., 40/60 нс, цикл 350 нс, неогр.кол-во циклов, Uпит=3.13…3.63В, -40°…+85°С, TSOP32 без свинца
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 512байт, I2C до 1 МГц, 1 трлн.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, PB-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, PB-Free, катушка 2000 шт
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 64Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, PB-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 8Кбайт, I2C до 1 МГц, 1 трлн.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 512байт, I2C до 1 МГц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7…3.65В, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 8Кбайт, I2C до 1 МГц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7…3.65В, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
Память FRAM, 512байт, SPI (режим 0) до 1.8 МГц, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, DIP8
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 512байт, SPI (режимы 0 и 3) до 20Мгц, 1 трлн.циклов, 45 лет, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, без свинца
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 512байт, SPI (режимы 0 и 3) до 20Мгц, 1 трлн.циклов, 45 лет, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, без свинца
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 32Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 25Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=4,0…5,5В, -40°…+85°С, SOIC8, RoHS
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 5 МГц, 1 трлн.циклов, 45 лет, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С, SOIC8, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 5 МГц, 1 трлн.циклов, Uпит=4.5…5.5В, Automotive grade -40°…+125°С, SOIC8, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Ramtron
память FRAM, 2Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, 1 трлн.циклов, Uпит=4.5…5.5В, Automotive grade -40°…+125°С, SOIC8, Pb-Free
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение