транз: (+резисторы) NPN+PNP Uкэ 50V, 100mA, hоэ min 200, 300mW, R1-4.7.ком ,R2-open SOT666
транз: BISS (2)PNP Uкэ 40V, 100mA, hоэ min , 300mW, 100Мгц , SOT666
транз: BISS (2) NPN Uкэ 40V, 100mA, hоэ min , 300mW, 100Мгц , SOT666
транз: BISS NPN+PNP Uкэ 40V, 100mA, hоэ min , 300mW, 100Мгц , SOT666
PESD3V3S2UT/SOT23/REELLP// SOT23
диод: Uобр=1000V, 1,0А, 40pF, 75ns. SOD57
диод: Uобр=1000V, 1,0А, 40pF, 75ns. SOD57
диод: Uобр=1000V, 1,0А, 40pF, 75ns. SOD57
PHB27NQ10T/SOT404/REEL13// D2PAK
транз: N+P MOSFET Complementary enhancement mode MOS transistors SO8
транз: NPN Uкэ 700в, Iк-4А, hоэ 8-40, P-75Вт, 0,16mkS TO220
транз: NPN Uкэ 700в, Iк-8А, hоэ 5-30, P-75Вт, 0,04mkS TO220
PHN203/SO8/REEL13DP// SO8
транз: N-MOSFET *2 30V, 3.4A,
транз: N-MOSFET 60V, 75.0А. TrenchMOS TO220
транз: N-MOSFET 500V, 8.5A,
транз: N-MOSFET 100V TRENCHFET SOT223
транз: N-MOSFET 55V, 5.5A,
транз: N-MOSFET 55V, 7.5A,
интеллектуальный ключ верхнего плеча, Uмах - 50В, Iмах - 12А SOT426
интеллектуальный ключ верхнего плеча, Uмах - 50В, Iмах - 9А SOT263
интеллектуальный ключ верхнего плеча, Uмах - 50В, Iмах - 10А SOT426
интеллектуальный ключ верхнего плеча, Uмах - 50В, Iмах - 18А SOT426