транз: P-MOSFET -250V, 200mA,
транз: N-MOSFET 240V, 375mA,
транз: NPN Darlington 80в, 1А, hоэ 1000-2000, P-830mВт, 200Мгц TO92
транз: N-MOSFET 60V, 300mA,
транз: P-MOSFET -240V, 200mA,
транз: P-MOSFET -50V, 130mA,
транз: NPN, Uкэ 350В, Iк-100mА, h21э >40, P-1,25Вт, 70МГц. SOT89
транз: PNP, Uкэ 80В, Iк-500mА, h21э >2000, P-1,35Вт, 200МГц. SOT89
симистор: 1A, 600V, 3mA, 50A/mks 4Q TO92
симистор: 1A, 600V, 0,4-1,4mA, 50A/mks 4Q SOT223
симистор: 1A, 600V, 50mA, dI/dt=100A/мкс, 3Q(snubberless) SOT223
симистор: 4A, 600V, 35mA, 50A/mks 4Q SOT82
симистор: 1A, 600V, 2,5-5mA, 50A/mks 4Q SOT223
симистор: 1A, 800V, 35mA, 50A/mks 4Q SOT223
симистор: 4A, 500V, 35mA, 50A/mks 4Q TO220
симистор: 4A, 600V, 35mA, 50A/mks 4Q TO220
симистор: 4A, 800V, 10mA, 100A/mks 3Q(snubberless) TO220
симистор: 4A, 600V, 35mA, 50A/mks 4Q TO220 ISOL
симистор: 8A, 600V, 35mA, 50A/mks 4Q TO220
симистор: 8A, 600V, 10mA, 50A/mks 4Q TO220
симистор: 8A, 600V, 50mA, 50A/mks 4Q TO220
симистор: 8A, 800V, 35mA, 50A/mks 4Q TO220
симистор: 8A, 600V, 35mA, 50A/mks 4Q TO220 ISOL