TO-92 NРN, Vce=80 B, Ic=1,0A,P=0,83Bт,hfe=40-250
TO-92 PNР, Vce=80 B, Ic=1,0A,P=0,83Bт,hfe=40-250
SOT89 (UPAK) NPN 20V 1A P=1,35Bт hfe=160-250 40МГц
SOT-223, NPN,Uкэ 80в, Iк-1А, hоэ 100-250, P-1,33Вт, 130Мгц
SOT-223, NPN,V=20B,I=1A,P=1,4Bт,h=85-375
SOT-223, PNP,V=20B,I=1A,P=1,4Bт,h=85-375
SOT-89 PNP,V=80B,I= 1A,P=1,3Bт,h=100-250
SOT89 NPN Uкэ 80в, Iк-1А, hоэ 100-250, P-1,3Вт, 130Мгц
TO-92 NPN,Vce=40B,Ic=25mA,hfe=67-200,fr=150MГц
TO-92 NPN V=250B,I=50мА,P=0,83Bт,h>=50, ft>60Мгц
TO-92 PNP V=250B,I=50мА,P=0,83Bт,h>=50, ft>60Мгц
SOT-23,N-FET Vds=20B,Idss=2,5-7mA, CRS=0,4пФ
SOT-23,N-FET Vds=20B,Idss=6-12mA, CRS=0,4пФ
SOT89 NPN 300В 50мА hоэ>50 1,3Вт 60Мгц
SOT-128 NPN Vce=250B Ic=50мA P=1,6Вт h>=50, ft>60Мгц снят > BF861(2)
SOT-143 N-MOS-FET ,Vds=20B,Id=40mA, Ptot=0,2Вт, F=1,2dB
SOT-143, N-MOS-FET, Vds=12B,Id=30mA,Idss=2-18mA, F=1dB, f=800Мгц
SOT-143, N-MOS-FET, Vds=12B,Id=30mA,Idss=2-18mA, F=1dB, f=800Мгц
SOT-223 NPN, Vce=15B, Ic=150мA,P=1 Bт, ft=7ГГц Gum=16dB
SOT-223 NPN, Vce=18B, Ic=150мA,P=1 Bт,ft=4ГГц Gum=15dB
SOT343 NPN малошумящий Nf=1дБ 21ГГц 5В, 250мA, 16дБ, 360мВт