1.0A 1.0% Fixed Voltage LDO in Power SOIC8 Pkg(Lead Free)
1.0A 1.0% ADJ. Voltage LDO in Power SOIC8 Pkg
750mA uCap LDO in Power MSOP-8 Pkg
6A Hi-Speed, Hi-Current Single MOSFET Driver (Lead Free)
High Speed, 9A Low Side MOSFET Driver
High Speed, 9A Low-Side MOSFET Driver, New Die
High Speed, 9A Low Side MOSFET Driver
1.5A Dual High Speed MOSFET Driver
1.5A Dual High Speed MOSFET Driver (Pb-Free)
1.5A Dual High Speed MOSFET Driver
Имп. стаб. напряж., Uвх=4…36 В, Uвых=5.0 В, Iвых=3 А, F=200 кГц , КПД=75 %, Темп.-40…+85,,TO-220
Имп. стаб. напряж., Uвх=4…36 В, Uвых=5.0 В, Iвых=3 А, F=200 кГц , КПД=75 %, Темп.-40…+85,,TO-263
Имп. стаб. напряж., Uвх=4…36 В, Uвых=Рег., Iвых=3 А, F=200 кГц , КПД=75 %, Темп.-40…+85,,TO-220
Имп. стаб. напряж., Uвх=4…34 В, Uвых=3.3 В, Iвых=до 1.3 А, F=200 кГц , КПД=до 90 %, Темп.-40…+125,,SOP-8
Имп. стаб. напряж., Uвх=4…34 В, Uвых=5.0 В, Iвых=до 1.3 А, F=200 кГц , КПД=до 90 %, Темп.-40…+125,,SOP-8
Имп. стаб. напряж., Uвх=4…34 В, Uвых=5.0 В, Iвых=до 1.3 А, F=200 кГц , КПД=до 90 %, Темп.-40…+125,,SOP-8
Имп. стаб. напряж., Uвх=4…34 В, Uвых=Рег., Iвых=до 1.3 А, F=200 кГц , КПД=до 90 %, Темп.-40…+125,,SOP-8
Имп. стаб. напряж., Uвх=4…34 В, Uвых=Рег., Iвых=до 1.3 А, F=200 кГц , КПД=до 90 %, Темп.-40…+125,,SOP-8
Имп. стаб. напряж., Uвх=4…34 В, Uвых=Рег., Iвых=до 1.3 А, F=200 кГц , КПД=до 90 %, Темп.-40…+125,Пиковый ток до 2 А,SOP-8
Имп. стаб. напряж., Uвх=4…34 В, Uвых=Рег., Iвых=до 1.3 А, F=200 кГц , КПД=до 90 %, Темп.-40…+125,Програмиремое ограничение тока,SOP-8
Имп. стаб. напряж., Uвх=4…30 В, Uвых=Рег., Iвых=3 А, F=200 кГц , КПД=>85 %, Темп.-40…+125,,SPAK-7
Имп. стаб. напряж., Uвх=4…30 В, Uвых=Рег., Iвых=1.3 А, F=500 кГц, КПД=>85 %, Темп.-40…+125,,SOP-8