Фильтр
Транзисторы RF-широкополосные
Производитель: Philips
транз: RF NPN-22ГГц 4,5V, 12mA, 21dB, 54mW SOT343
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-25ГГц 4,5V, 30mA, 20dB, 135mW SOT343
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-22ГГц 4,5V, 12mA, 21dB, 54mW SOT343
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-25ГГц 4,5V, 30mA, 20dB, 135mW SOT343
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: NXP
SOT-23,N-FET Vds=20B,Idss=2,5-7mA, CRS=0,4пФ
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: NXP
SOT-23,N-FET Vds=20B,Idss=6-12mA, CRS=0,4пФ
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-6ГГц Uкэ 15в, Iк-35mА, GUM 13dB, P-300mВт SOT23
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: NXP
SOT-128 NPN Vce=250B Ic=50мA P=1,6Вт h>=50, ft>60Мгц снят > BF861(2)
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: NXP
SOT-143 N-MOS-FET ,Vds=20B,Id=40mA, Ptot=0,2Вт, F=1,2dB
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: NXP
SOT-143, N-MOS-FET, Vds=12B,Id=30mA,Idss=2-18mA, F=1dB, f=800Мгц
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: NXP
SOT-143, N-MOS-FET, Vds=12B,Id=30mA,Idss=2-18mA, F=1dB, f=800Мгц
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN+NPN -7ГГц 8V, 70mA, 19-31dB, 1000mW SOT353
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: NXP
SOT-223 NPN, Vce=15B, Ic=150мA,P=1 Bт, ft=7ГГц Gum=16dB
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-7ГГц Uкэ 15в, Iк-150mА, GUM 16dB, P-1000mВт SOT223
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-7ГГц Uкэ 15в, Iк-150mА, GUM 16dB, P-1000mВт SOT223
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-18ГГц 4,5V, 200mA, 10dB, 600mW SOT343
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-7ГГц Uкэ 15в, Iк-150mА, GUM 16dB, P-1000mВт SOT223
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: NXP
SOT-223 NPN, Vce=18B, Ic=150мA,P=1 Bт,ft=4ГГц Gum=15dB
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-17ГГц 4,5V, 3,6mA, 22dB, 16mW SOT343
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-22ГГц 4,5V, 12mA, 21dB, 54mW SOT343
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-25ГГц 4,5V, 30mA, 20dB, 135mW SOT343
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: NXP
SOT343 NPN малошумящий Nf=1дБ 21ГГц 5В, 250мA, 16дБ, 360мВт
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-21ГГц 4,5V, 250mA, 16dB, 360mW SOT343
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Philips
транз: RF NPN-9ГГц 15V, 70mA, 17dB, 500mW SOT343
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: NXP
SOT-143 NPN 15B 120мA 0,5Bт 9ГГц Gum=18dB F=1.9dB/0,9GHz
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение