Силовой МОП-транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25oC) = -31 A Корпус TO-220AB
Силовой МОП-транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.11 Ом, Id(25oC) = 17 A Корпус D2-Pak
транз: N-MOSFET 100V, 30.0A,
транз: N-MOSFET 100V, 26.0A,
транз: N-MOSFET 100V, 26.0A,
транз: N-MOSFET 100V, 26.0A,
Силовой МОП-транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.8 Ом, Id(25oC) = 5.2 A Корпус TO-220AB.
транз: N-MOSFET 200V, 9.0A,
транз: N-MOSFET 200V, 9.0A,
Силовой МОП-транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.3 Ом, Id(25oC) = 9.5 A Корпус TO-220AB.
транз: N-MOSFET 200V, 18.0A,
транз: N-MOSFET 200V, 19A,
транз: N-MOSFET 200V, 19A,
транз: N-MOSFET 400V, 4.0A,
транз: N-MOSFET 400V, 4.0A,
транз: N-MOSFET 400V, 6.0A,
транз: N-MOSFET 400V, 4.0A,
транз: N-MOSFET 400V, 6.0A,
транз: P-MOSFET -2*20V, 4A,
транз: P-MOSFET -2*20V, 4A,
Сдвоенные N и P-канальные Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, Id(25oC)=-3.4/4.7A Корпус SOIC8
транз: N-MOSFET 400V, 10.0A,
транз: N-MOSFET 400V, 9.0A,
транз: N-MOSFET 400V, 6.0A,
Силовой МОП-транзистор N-канальный Vси = 30 В, Rоткр = 0.035 Ом, Id(25oC) = 8.5 A Корпус SOIC8.