Силовой МОП-транзистор N-канальный Vси = 600 В, Rоткр = 1.2 Ом, Id(25oC) = 6.2 A Корпус TO-220AB. Под заказ мин. 200шт.
транз: N-MOSFET 600V, 6.0A,
транз: N-MOSFET 600V, 6.0A,
транз: N-MOSFET 800V, 3.5A,
МОП-транзистор, N-канал, Vси = 100В, Rоткр = 0.27 Ом, Ic= 1.3A, 1.3Вт, HEXDIP. Под заказ мин. 700шт.
транз: N-MOSFET 250V, 300mA,
См. замену - у NEC // HEXDIP
МОП-транзистор, Р-канал, Vси = -60В, Iс = -1.1A, 1.3Вт, Rоткр = 0.5 Ом, 1.3Вт, HEXDIP. Под заказ мин. 700шт.
МОП-транзистор, Р-канал, Vси = -100В, Iс = -0.7A, 1.3Вт, Rоткр = 1.2 Ом, 1.3Вт, HEXDIP. Под заказ мин. 600шт.
транз: N-MOSFET 200V, 19A,
Силовой МОП-транзистор N-канальный Vси = 450 В, Rоткр = 0.63 Ом, Id(25oC) = 4.9 A Корпус TO-220 FullPak . Под заказ мин. 300шт.
Силовой МОП-транзистор N-канальный Vси = 500 В, Rоткр = 0.85 Ом, Id(25oC) = 4.6 A Корпус TO-220 FullPak . Под заказ мин. 300шт.
транз: N-MOSFET 600V, 9A,
транз: N-MOSFET 600V, 6.0A,
транз: N-MOSFET 600V, 4.0A,
транз: N-MOSFET 600V, 6.0A,
транз: N-MOSFET 600V, 6.0A,
МОП-транзистор, N-канал, Vси = 60В, Rоткр = 0.028 Ом, Ic = 57A, 180Вт, TO-247AC. Под заказ мин. 200шт.
транз: N-MOSFET 500V, 20.0A,
транз: N-MOSFET 500V, 20.0A,
транз: N-MOSFET 200V, 33.0A,
транз: N-MOSFET 500V, 20.0A,
МОП-транзистор, N-канал, Vси = 400В, Rоткр = 0.2 Ом, Ic = 23A, 280Вт, TO-247AC. Под заказ мин. 150шт.