Нормализатор сигнала LVDT Uвх=0,1..3,5V 0..20kHz Uвых=±11V 6mA –40..+85C CerDIP-20
Усилитель с перестраиваемым Ку, упр. U, -11...+31 дБ, 90 МГц, 275 В/мкс, 1,3 нВ/VГц, Iвх = 200 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 12,5 мА, Uп = ±4,75...±6,3 В, -40...+85°С, SOIC8.
2 ОУ, с аттенюатором –14..+34dB, 40MHz, 170V/µs, пит:±5V, 18mA, –40..+85°C, SOIC24
2 ОУ, с аттенюатором –14..+34dB, 40MHz, 170V/µs, пит:+5V, 18mA, –40..+85°C, DIP-16
2 ОУ, с аттенюатором –14..+34dB, 40MHz, 170V/µs, пит:+5V, 18mA, –40..+85°C, SOIC-16
Смеситель/ограничитель FM, SOIC16, -40°C - +85°C
Инстр.усил., Ку=1...1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, КОСС=90дБ, 1MГц, шум=9нВ/VГц, Iп=0.9мА, Uп=±2.3...±18В, -40...+85°С, PDIP8.
Инстр.усил., Ку=1...1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, КОСС=90дБ, 1MГц, шум=9нВ/VГц, Iп=0.9мА, Uп=±2.3...±18В, -40...+85°С, SOIC8.
Инстр.усил., Ку=1...1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, КОСС=90дБ, 1MГц, шум=9нВ/VГц, Iп=0.9мА, Uп=±2.3...±18В, -40...+85°С, PDIP8.
LOW COST LOW POWER IN AMP
Инстр.усил., Ку=1...1000, Uсдв=60мкВ, 1мкВ/°С, Iвх=2нА, Rвх=10ГОм, КОСС=78дБ, 1MГц, шум=12нВ/VГц, Iп=0.9мА, Uп=±2.3...±18В, -40...+85°С, PDIP8.
Инстр.усил., Ку=1...1000, Uсдв=60мкВ, 1мкВ/°С, Iвх=2нА, Rвх=10ГОм, КОСС=78дБ, 1MГц, шум=12нВ/VГц, Iп=0.9мА, Uп=±2.3...±18В, -40...+85°С, SOIC8.
Инстр.усил., Ку=1...1000, Uсдв=25мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=17нА, Rвх=2ГОм, КОСС=80дБ, 800кГц, шум=35нВ/VГц, Iп=0.375мА, Uп=2.7...12В, -40...+85°С, PDIP8.
Инстр.усил., Ку=1...1000, Uсдв=25мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=17нА, Rвх=2ГОм, КОСС=80дБ, 800кГц, шум=35нВ/VГц, Iп=0.375мА, Uп=2.7...12В, -40...+85°С, SOIC8.
Инстр.усил., Ку=1...1000, Uсдв=200мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=17нА, Rвх=2ГОм, КОСС=80дБ, 800кГц, шум=35нВ/VГц, Iп=0.375мА, Uп=2.7...12В, -40...+85°С, mSOIC8.
Инстр.усил., Ку=1...10000, Uсдв=10мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=10нА, Rвх=1ГОм, КОСС=90дБ, 650кГц, шум=4нВ/VГц, Iп=3.5мА, Uп=±6...±18В, -40...+85°С, CerPDIP16.
Инстр.усил., Ку=1...10000, Uсдв=25мкВ, 0.25мкВ/°С, Iвх=20нА, Rвх=1ГОм, КОСС=85дБ, 650кГц, шум=4нВ/VГц, Iп=3.5мА, Uп=±6...±18В, 0...+70°С, CerPDIP16.
Инстр.усил., Ку=10, 100, Uсинф=-34...+60В, Uсдв=50мкВ, 1мкВ/°С, Rвх=200кОм, КОСС=90дБ, 100кГц, шум=250нВ/VГц, Iп=1.5мА, Uп=2.4...12В, -40...+85°С, SOIC8.
Инстр.усил., Ку=0.01...100, Uсинф=±120В, Uсдв=1500мкВ, 4мкВ/°С, Iвх=1.5нА, Rвх=220кОм, КОСС=130дБ, 600кГц, шум=300нВ/VГц, Iп=1.6мА, Uп=4.5...36В, -40...+85°С, SOIC8.
Инстр.усил., Ку=1, Uсинф=±500В, Uсдв=200мкВ, 6мкВ/°С, Rвх=800кОм, КОСС=88дБ, 500кГц, шум=550нВ/VГц, Iп=0.9мА, Uп=±2.5...±18В, -40...+85°С, SOIC8.