Analog Devices
Производитель: Analog Devices
ОУ бипл., вых. размах до шин питания, 110 МГц, 145 В/мкс, Uсм = 1,7 мВ, 10 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 1400 нА, Iвых = 45 мА, Iп = 4,4 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+125°C, SOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
2 ОУ бипл., вых. размах до шин питания, 110 МГц, 145 В/мкс, Uсм = 1,7 мВ, 10 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 1400 нА, Iвых = 45 мА, Iп = 4,4 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+125°C, mSOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
ОУ бипл., 300 МГц, 1400 В/мкс, Uсм = 3 мВ, 6 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 400 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 5,4 мА, Uп = 8...13,2 В, -40...+125°C, PDIP8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
ОУ бипл., 300 МГц, 1400 В/мкс, Uсм = 3 мВ, 6 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 400 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 5,4 мА, Uп = 8...13,2 В, -40...+125°C, SOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
SOT23 Hi Iout Vltg Fdbk Lo Cost Op Amp
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
2 ОУ бипл., 300 МГц, 1400 В/мкс, Uсм = 3 мВ, 6 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 400 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 5,4 мА, Uп = 8...13,2 В, -40...+125°C, PDIP8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
2 ОУ бипл., 300 МГц, 1400 В/мкс, Uсм = 3 мВ, 6 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 400 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 5,4 мА, Uп = 8...13,2 В, -40...+125°C, SOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
ОУ бипл., 325 МГц, 1150 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 3 мкВ/°С, 7 нВ/VГц, Iвх = 500 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 6 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SOT23-5 в катушке 2".
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
ОУ бипл., 325 МГц, 1150 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 3 мкВ/°С, 7 нВ/VГц, Iвх = 500 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 6 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SOT23-5 в катушке 7".
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
ОУ бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 320 МГц, 650 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 3,5 мкВ/°С, 8,5 нВ/VГц, Iвх = 3500 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 6,8 мА, Uп = 2,7...8 В, -40...+85°C, SOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
ОУ бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 320 МГц, 650 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 3,5 мкВ/°С, 8,5 нВ/VГц, Iвх = 3500 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 6,8 мА, Uп = 2,7...8 В, -40...+85°C, SOT23-6 в катушке 2".
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
2 ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 145 МГц, 180 В/мкс, Uсм = 0,4 мВ, 1 мкВ/°С, 7 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 35 мА, Iп = 6,4 мА, Uп = 5...26,4 В, -40...+85°C, SOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
2 ОУ бипл., ОС по току, 200 МГц, 500 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 11 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, Iвх = 4000 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 3,5 мА, Uп = 4...13,2 В, 0...+70°C, SOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
2 буфера, Ку=2, Uсдв=10мВ, 20мкВ/°С, Iсм=3мкА, 100МГц, 750В/мкс, шум=2нВ/VГц, Iвых=70мА, Uп=±3...±6В, Iп=10мА, -40...+85°С, SOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
ОУ бипл., вых. размах до шин питания, 110 МГц, 145 В/мкс, Uсм = 1,7 мВ, 10 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 1400 нА, Iвых = 45 мА, Iп = 4,4 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SOT23-5 в катушке 7".
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
2 ОУ бипл., вых. размах до шин питания, 110 МГц, 145 В/мкс, Uсм = 1,7 мВ, 10 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 1400 нА, Iвых = 45 мА, Iп = 4,4 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, mSOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
ОУ бипл., ОС по току, с отключением, 80 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 1,5 мВ, 7 мкВ/°С, 2,9 нВ/VГц, Iвх = 700 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 6,7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, PDIP8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
ОУ бипл., ОС по току, с отключением, 80 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 1,5 мВ, 7 мкВ/°С, 2,9 нВ/VГц, Iвх = 700 нА, Iвых = 60 мА, Iп = 6,7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
ОУ бипл., ОС по току, 140 МГц, 2500 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 5 мкВ/°С, 1,9 нВ/VГц, Iвх = 2000 нА, Iвых = 100 мА, Iп = 14,5 мА, Uп = 9...36 В, 0...+70°C, SOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
SOIC 200MHz High-Speed Diff`l Receiver
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
2 ОУ бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 мкВ/°С, 3,5 нВ/VГц, Iвх = 7000 нА, Iвых = 40 мА, Iп = 3,5 мА, Uп = 2,4...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
Диф.усил., высокоскоростн.270МГц, малошум.12.5нВ/vГц, 1.4пА/vГц, Uп=±2.25...±12.6В, –40...+85°C, SOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение
Производитель: Analog Devices
Диф.усил., высокоскоростн.270МГц, малошум.12.5нВ/vГц, 1.4пА/vГц, Uп=±2.25...±12.6В, –40...+85°C, mSOIC8.
В заметкиЗаметки
В сравненияСравнение