Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=12ГГц, Кш=1,5дБ(2ГГц), S21e=11дБ, hFE=75…150, Cкб=0,4пФ, Uкэ=6В, Iк=30мА, 3USMM, -40...85C
Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=12ГГц, Кш=1,3дБ(2ГГц), Ga=8дБ(2ГГц), hFE=95, Uкэ=2В, Iк(макс)=30мА, 3-конт, SC-90, -40...85C
Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=9ГГц, Кш=1,5дБ(2ГГц), S21e=8дБ, hFE=80…160, Cкб=0,7пФ, Uкэ=6В, Iк=100мА, 3USMM, -40...85C
Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=4,5ГГц, Кш=1,2дБ(1ГГц), S21e=9дБ, hFE=80…160, Uкэ=12В, Iк=100мА, 3USMM, -40...85C
Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=25ГГц, Кш=1,3дБ(5,2ГГц), MSG=22,5дБ(2ГГц), hFE=130…260, Uкэ=5В, Iк=35мА, F4TSMM, -40...85C
Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=60ГГц, Кш=0,9дБ(2ГГц), MSG=20дБ(2ГГц), hFE=200…400, Uкэ=2,3В, Iк=35мА, F4TSMM, -40...85C
Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=25ГГц, Кш=1,3дБ(5,2ГГц), MSG=21,5дБ(2ГГц), hFE=130…260, Uкэ=5В, Iк=35мА, F4TSMM, -40...85C
Транзистор n-p-n, СВЧ, средней мощности, 2ГГц, Рвых(1дБ)=21дБм(2ГГц), Кус.лин=15дБ(2ГГц), Кш=0,6дБ(1ГГц), Uкэ=5В, Iс=100мА, F4TSMM, -40...85C
Транзистор n-p-n, СВЧ, средней мощности, Рвых(1дБ)=30дБм(460МГц), MSG=23дБ(460МГц), КПД=60%, Uкэ=9В, Iс=600мА, 3MM, -40...85C
Транзистор n-p-n, СВЧ, средней мощности, Рвых(1дБ)=30дБм(460МГц), MSG=23дБ(460МГц), КПД=60%, Uкэ=9В, Iс=600мА, 3MM, -40...85C
Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Кш=0,95дБ(5,2ГГц), S21e=9дБ(5,8ГГц), hFE=220…380, Uкэ=4,3В, Iк=35мА, F4TSMM, -40...85C
Ключ СВЧ, однополюсный на два направления, 0…2,5ГГц, вносимое затухание: 0,6..0,95дБ, Рвх(1дБ)=+21дБм, Uпит=1,8...3,3В, -45…+85?С, 8L2MM
Ключ СВЧ, однополюсный на два направления, 0,05…2,5ГГц, вносимое затухание: 0,6..0,95дБ, Рвх(1дБ)=+21дБм, Uпит=1,8...3,6В, -45…+85?С, 8L2MM
Ключ СВЧ, однополюсный на два направления, 0,5…2,5ГГц, вносимое затухание: 0,25дБ, Рвх(0,1дБ)=+34дБм, Uпит=2,8В, -45…+85?С, 6SMM
Ключ СВЧ, однополюсный на два направления, 0,5…2,5ГГц, вносимое затухание: 0,25дБ, Рвх(0,1дБ)=+33дБм, Uпит=2,8В, -45…+85?С, 6SMM
Ключ СВЧ, однополюсный на два направления, 0,5…2,5ГГц, вносимое затухание: 0,3дБ, Рвх(0,1дБ)=+20дБм, изоляция 28дБ, Uпит=2,8В, -45…+85?С, 6SMM
Ключ СВЧ, однополюсный на два направления, 0,5…2,5ГГц, вносимое затухание: 0,3дБ, Рвх(0,1дБ)=+20дБм, изоляция 30дБ, Uпит=2,8В, -45…+85?С, 6L2MM
Ключ СВЧ, однополюсный на два направления, 0,5…2,5ГГц, вносимое затухание: 0,3дБ, Рвх(0,1дБ)=+27дБм, изоляция 27дБ, Uпит=2,8В, -45…+85?С, 6SMM
Ключ СВЧ, однополюсный на два направления, 4,8…5,85ГГц, вносимое затухание 0,8дБ, Рвх(0,1дБ)=+33дБм, межканальная изоляция 25дБ, Uпит=5В, -40…+85?С, 6SSM
Ключ СВЧ, однополюсный на три направления, 0,5…2,0ГГц, вносимое затухание: 0,45дБ, Рвх(0,1дБ)=+33дБм, изоляция 26дБ, Uпит=2,8В, -45…+85?С, 10TSON
Коммутатор ПЧ, 4х2, 950…2150МГц, вносимое затухание 6дБ, межканальная изоляция 38дБ, Uпит=5В, -40…+85?С, 20QFN
Ключ СВЧ, однополюсный на два направления, 0,05…3ГГц, вносимое затухание: 0,3дБ, Рвх(0,1дБ)=+23дБм, изоляция +25дБ, Uпит=3,0В, -45…+85?С
Ключ СВЧ, однополюсный на два направления, 0,5…6,0 ГГц,