транз: N-MOSFET 600V, 17.0A,
транз: N-MOSFET 500V, 22.0A,
транз: N-MOSFET 500V, 30.0A,
транз: N-MOSFET 600V, 27A,
транз: N-MOSFET 500V, 31.0A,
транз: N-MOSFET 500V, 17A,
транз: N-MOSFET 500V, 45.0A,
транз: N-MOSFET 500V, 45.0A,
транз: N-MOSFET 200V, 50.0A,
транз: N-MOSFET 800V, 6,2A,
транз: N-MOSFET 200V, 83A,
транз: N-MOSFET 500V, 60.0A,
транз: N-MOSFET 600V, 60.0A,
транз: N-MOSFET 800V, 3.5A,
МОП-транзистор, счетверенный, N-канальный,Vси=100В, Iс=5А, Rоткр=200 мОм, корпус SIP-10
МОП-транзистор, сдвоенный, N-канальный, Vси=60В, Iс=5А, Rоткр=110 мОм, корпус SOP-8
МОП-транзистор, сдвоенный, P-канальный, Vси=-20В, Iс=6А, Rоткр=37 мОм, корпус SOP-8
МОП-транзистор, сдвоенный, P-канальный, Vси=-20В, Iс=-2.5А, Rоткр=250 мОм, корпус 8-PIN TSSOP, Tape and reel
МОП-транзистор, сдвоенный, N-канальный, Vси=60В, Iс=3.8А, Rоткр=67 мОм, корпус TSSOP-8
транз: N-MOSFET 250V, 300mA,
транз: OMNIFET-MOSFET 42V, 60mOHM DPAK
транз: OMNIFET-MOSFET 70V, 100mOHM TO220
транз: OMNIFET-MOSFET 40V, 35mOHM, полная защита, OMNIFET II. TO220
транз: OMNIFET-MOSFET 40V, 2*250mOm STRIPOMNIFET SO8
транз: P-MOSFET -60V, 300mA,